1.tác dụng linh kiện

-Cv:điện dung vào

-Rb:tạo thiên áp dương cho T

-Đ:tạo sự phân cách giữa mạch kích và mạch quét

-Rc:điện trở hạn dòng cho T

-C:tụ tạo điện áp quét

-T:khống chế dòng điện phóng của tụ

-(Rb,R,-Eb) tạo thiên áp âm ban đầu cho T(đk:R<Rb)

2.nguyên lí

-t<to:Uvao <0.có dòng I tĩnh chảy từ +E tới Eb liên tục(phân cực thuận cho diot) sinh ra thiên áp âm cho bazo T->T tắt(hở).Tụ C nạp với Tc=C.Rc tới khi C đầy thì Uc=+E->dòng I k còn.

-tại to xuất hiện đột biến dương->Đ phân cực ngược làm cho Đ tắt->mất dòng I tĩnh->T thông do có Rb tạo thiên áp dương.tụ C phóng.giả sử:Ic tăng->Urb tăng->Ube giảm->làm cho T bớt thông->I qua T giảm làm cho Ic giảm->Ic phóng=const.Điện áp trên C giảm dần theo tgian

-tại t1 xuất hiện đôt biến âm làm D thông->xuất hiện dòng I tĩnh tạo thiên áp âm cho T làm T tắt.

tụ C nạp với Tc=C.(Rc+R).do Rc và R lớn nên tgian nạp lâu

3.thay đổi tham số mạch

-thay đồi độ rộng xung kích:thay đổi điện áp quét

-thay đổi giá trị tụ c:thay đổi tốc độ điện áp quét(C càng nhỏ quét càng nhanh)

*điện áp quét k tuyến tính lí tưởng đc:tục C phóng theo 2 đường:Ic phóng chính=const bị khống chế còn Ic phóng phụ k bị khống chế nên đường bị cong.

*cách khắc phục:k có vì phụ thuôc bản chất của mạch

-làm tăng chất lượng T ->thay đổi Rc,Rb

-lấy ra phần thẳng nhất của U quét để dùng

*nhược điểm:-tgian phục hồi lâu

-dùng trong oxilo do tia quét chồng lên nhau