Cau6

Sản phẩm cuối cùng được tạo ra là một lớp màng rắn và chịu mài mòn có liên kết rất mạnh với vật liệu đế. CVD nhiều khi được gọi là phương pháp lắng đọng nhiệt độ cao, bởi các quá trình được thực hiện ở nhiệt độ 1900 độ F.

Uu diem Phuong phap cvd

Hệ thiết bị đơn giản.

Tốc độ lắng đọng cao (đến 1µm/phút).

Dễ khống chế hợp thức hóa học của hợp chất và dễ dàng pha tạp chất.

Có khả năng lắng đọng hợp kim nhiều thành phần.

Có thể tạo màng cấu trúc hoàn thiện, độ sạch cao.

Đế được xử lý ngay trước khi lắng đọng bằng quá trình ăn mòn hóa học.

Có thể lắng đọng lên đế có cấu hình đa dạng, phức tạp

            Nhuoc diem

Cơ chế phản ứng phức tạp.

Đòi hỏi nhiệt độ đế cao hơn trong các phương pháp khác.

Đế và các dụng cụ thiết bị có thể bị ăn mòn bởi các dòng hơi.

Khó tạo hình linh kiện màng mỏng thông qua kỹ thuật mặt nạ.

Ung dung

Phương pháp CVD được dùng để chế tạo màng mỏng

Các chất bán dẫn như:Si, A2B6, A3B5,

Các  màng  mỏng  ôxít  dẫn  điện  trong  suốt  như  SnO2,In2O3:Sn(ITO),

Các màng mỏng điện môi như SiO2, Si3N4, BN, Al2O3, …

Các màng mỏng kim loại.

CVD được sử dụng để chế tạo nhiều loại màng mỏng. ví dụ chế tạo các màng ứng dụng trong công nghệ vi điện tử như: màng cách điện, dẫn điện, lớp chống gỉ, chống oxi hóa và màng epitaxy. Chế tạo sợi quang chịu nhiệt, và có độ bền tốt, sử dụng được với những vật liệu nóng chảy ở nhiệt độ cao và chế tạo pin mặt trời, sợi composit nhiệt độ cao, các vật liệu siêu dẫn ở nhiệt độ cao.

Cau 11

        Nguyên lý: LPE là phương pháp mọc các lớp tinh thể bán dẫn từ dung dịch nóng chảy lên đế rắn. Quá trình này xảy ra tại nhiệt độ cao dưới điểm nóng chảy của chất bán dẫn lắng đọng.

        Chất bán dẫn được hoà tan trong dung dịch nóng chảy và sự lắng đọng của tinh thể bán dẫn lên đế là khá chậm và đồng nhất. Điều kiện cân bằng phụ thuộc rất nhiều vào nhiệt độ và nồng độ chất bán dẫn hoà tan trong dung dịch nóng chảy. Sự mọc của các lớp từ pha lỏng có thể được điều khiển bởi sự làm lạnh dung dịch nóng chảy. Tạp chất đưa vào có thể giảm mạnh.

        Ứng dụng: Phương pháp này được dùng để tạo các hợp chất bán dẫn.

            Nó phù hợp với việc tạo được những màng có chiều dày rất mỏng, cỡ 0,2mm  nhờ tốc độ mọc rất thấp. Đặc biệt nó được áp dụng trong công nghệ chế tạo các mạch tổ hợp có cấu trúc nhiều lớp, đòi hỏi nồng độ tạp phải đựợc kiểm soát một cách chính xác.